GeneSiC Semiconductor - GB2X100MPS12-227

KEY Part #: K6469821

GB2X100MPS12-227 가격 (USD) [629PC 주식]

  • 1 pcs$73.79442

부품 번호:
GB2X100MPS12-227
제조사:
GeneSiC Semiconductor
상세 설명:
SIC DIODE 1200V 200A SOT-227. Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Merged PiN Schottky (MPS) Diode 1200V 200A SOT-227
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 사이리스터 - 트라이 액, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 트랜지스터 - 특수용, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 다이오드 - 제너 - 싱글, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 전원 드라이버 모듈 and 다이오드 - RF ...
경쟁 우위:
We specialize in GeneSiC Semiconductor GB2X100MPS12-227 electronic components. GB2X100MPS12-227 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GB2X100MPS12-227, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GB2X100MPS12-227 제품 속성

부품 번호 : GB2X100MPS12-227
제조사 : GeneSiC Semiconductor
기술 : SIC DIODE 1200V 200A SOT-227
시리즈 : -
부품 상태 : Active
다이오드 구성 : 2 Independent
다이오드 유형 : Silicon Carbide Schottky
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) : 1200V
전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당) : 185A (DC)
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If : 1.8V @ 100A
속도 : No Recovery Time > 500mA (Io)
역 회복 시간 (trr) : 0ns
전류 - 역방향 누설량 (Vr) : 80µA @ 1200V
작동 온도 - 정션 : -55°C ~ 175°C
실장 형 : Chassis Mount
패키지 / 케이스 : SOT-227-4, miniBLOC
공급 업체 장치 패키지 : SOT-227
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