Rohm Semiconductor - SP8M4FRATB

KEY Part #: K6522027

SP8M4FRATB 가격 (USD) [91257PC 주식]

  • 1 pcs$0.42847

부품 번호:
SP8M4FRATB
제조사:
Rohm Semiconductor
상세 설명:
4V DRIVE NCHPCH MOSFET CORRESP.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 사이리스터 - 트라이 액, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 트랜지스터 - 특수용 and 트랜지스터 - IGBT - 어레이 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SP8M4FRATB 제품 속성

부품 번호 : SP8M4FRATB
제조사 : Rohm Semiconductor
기술 : 4V DRIVE NCHPCH MOSFET CORRESP
시리즈 : Automotive, AEC-Q101
부품 상태 : Active
FET 유형 : N and P-Channel
FET 특징 : Standard
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 9A (Ta), 7A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 9A, 10V, 28 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID : 2.5V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 15nC @ 5V, 25nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 1190pF @ 10V, 2600pF @ 10V
전력 - 최대 : 2W
작동 온도 : 150°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급 업체 장치 패키지 : 8-SOP