제조사 :
Microsemi Corporation
기술 :
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) :
650V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) :
135A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic :
2.4V @ 15V, 95A
Td (온 / 오프) @ 25 ° C :
29ns/226ns
시험 조건 :
433V, 95A, 4.3 Ohm, 15V
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스 :
SOT-227-4, miniBLOC