기술 :
IC GATE DVR HI/LO SIDE 10WSON
게이트 유형 :
N-Channel MOSFET
논리 전압 - VIL, VIH :
2.3V, -
전류 - 피크 출력 (소스, 싱크) :
2A, 2A
하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩) :
100V
상승 / 하강 시간 (일반) :
570ns, 430ns
작동 온도 :
-40°C ~ 125°C (TJ)
패키지 / 케이스 :
10-WDFN Exposed Pad
공급 업체 장치 패키지 :
10-WSON (4x4)