Vishay Semiconductor Diodes Division - BAS21-E3-18

KEY Part #: K6458594

BAS21-E3-18 가격 (USD) [2850394PC 주식]

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  • 10,000 pcs$0.01200

부품 번호:
BAS21-E3-18
제조사:
Vishay Semiconductor Diodes Division
상세 설명:
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 250 Volt2.5A 50ns
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 다이오드 - RF, 다이오드 - 정류기 - 단일, 트랜지스터 - 특수용, 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이 and 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAS21-E3-18 제품 속성

부품 번호 : BAS21-E3-18
제조사 : Vishay Semiconductor Diodes Division
기술 : DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23
시리즈 : -
부품 상태 : Active
다이오드 유형 : Standard
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) : 200V
전류 - 평균 정류 (Io) : 200mA
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If : 1.25V @ 200mA
속도 : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
역 회복 시간 (trr) : 50ns
전류 - 역방향 누설량 (Vr) : 100nA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F : 5pF @ 0V, 1MHz
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 업체 장치 패키지 : SOT-23
작동 온도 - 정션 : -55°C ~ 150°C

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