제조사 :
GeneSiC Semiconductor
기술 :
DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA TO220
다이오드 유형 :
Silicon Carbide Schottky
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) :
3300V
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If :
1.7V @ 300mA
속도 :
No Recovery Time > 500mA (Io)
전류 - 역방향 누설량 (Vr) :
5µA @ 3300V
커패시턴스 @ Vr, F :
42pF @ 1V, 1MHz
패키지 / 케이스 :
TO-220-2 Full Pack
작동 온도 - 정션 :
-55°C ~ 175°C