DF200R12PT4B6BOSA1 가격 (USD) [505PC 주식]
- 1 pcs$91.86184
- 부품 번호:
- DF200R12PT4B6BOSA1
- 상세 설명:
- IGBT MODULE VCES 1200V 200A.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 다이오드 - 브리지 정류기, 사이리스터 - SCR, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 다이오드 - 정류기 - 어레이, 사이리스터 - SCR - 모듈 and 트랜지스터 - JFET ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Infineon Technologies DF200R12PT4B6BOSA1 electronic components. DF200R12PT4B6BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DF200R12PT4B6BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DF200R12PT4B6BOSA1 제품 속성
부품 번호 :
DF200R12PT4B6BOSA1
제조사 :
Infineon Technologies
기술 :
IGBT MODULE VCES 1200V 200A
시리즈 :
-
부품 상태 :
Active
IGBT 유형 :
Trench Field Stop
구성 :
Three Phase Inverter
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) :
1200V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) :
300A
전력 - 최대 :
1100W
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 200A
전류 - 콜렉터 차단 (최대) :
15µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce :
12.5nF @ 25V
입력 :
Standard
NTC 서미스터 :
Yes
작동 온도 :
-40°C ~ 150°C
실장 형 :
Chassis Mount
패키지 / 케이스 :
Module
공급 업체 장치 패키지 :
Module
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