EFC6602R-A-TR 가격 (USD) [4066PC 주식]
- 5,000 pcs$0.15623
- 부품 번호:
- EFC6602R-A-TR
- 제조사:
- ON Semiconductor
- 상세 설명:
- MOSFET 2N-CH EFCP.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이 and 트랜지스터 - IGBT - 모듈 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in ON Semiconductor EFC6602R-A-TR electronic components. EFC6602R-A-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EFC6602R-A-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
EFC6602R-A-TR 제품 속성
부품 번호 :
EFC6602R-A-TR
제조사 :
ON Semiconductor
기술 :
MOSFET 2N-CH EFCP
시리즈 :
-
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 특징 :
Logic Level Gate, 2.5V Drive
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
-
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
-
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (최대) @ ID :
-
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
55nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
-
전력 - 최대 :
2W
작동 온도 :
150°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
패키지 / 케이스 :
6-XFBGA, FCBGA
공급 업체 장치 패키지 :
EFCP2718-6CE-020
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