기술 :
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) :
100V
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If :
1V @ 10mA
속도 :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
전류 - 역방향 누설량 (Vr) :
5µA @ 75V
커패시턴스 @ Vr, F :
4pF @ 0V, 1MHz
패키지 / 케이스 :
DO-204AH, DO-35, Axial
작동 온도 - 정션 :
-65°C ~ 175°C