부품 번호 :
2SA1013-O,T6MIBF(J
제조사 :
Toshiba Semiconductor and Storage
기술 :
TRANS PNP 1A 160V TO226-3
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) :
160V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic :
1.5V @ 50mA, 500mA
전류 - 콜렉터 차단 (최대) :
1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce :
60 @ 200mA, 5V
패키지 / 케이스 :
TO-226-3, TO-92-3 Long Body