Microsemi Corporation - APT95GR65B2

KEY Part #: K6422435

APT95GR65B2 가격 (USD) [8275PC 주식]

  • 1 pcs$4.97991
  • 10 pcs$4.48148
  • 25 pcs$4.08317
  • 100 pcs$3.68482
  • 250 pcs$3.38606
  • 500 pcs$3.08729

부품 번호:
APT95GR65B2
제조사:
Microsemi Corporation
상세 설명:
IGBT 650V 208A 892W T-MAX.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - JFET, 트랜지스터 - IGBT - 어레이, 다이오드 - RF, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 다이오드 - 브리지 정류기, 다이오드 - 정류기 - 단일 and 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT95GR65B2 제품 속성

부품 번호 : APT95GR65B2
제조사 : Microsemi Corporation
기술 : IGBT 650V 208A 892W T-MAX
시리즈 : -
부품 상태 : Active
IGBT 유형 : NPT
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) : 650V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) : 208A
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm) : 400A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic : 2.4V @ 15V, 95A
전력 - 최대 : 892W
스위칭 에너지 : 3.12mJ (on), 2.55mJ (off)
입력 유형 : Standard
게이트 차지 : 420nC
Td (온 / 오프) @ 25 ° C : 29ns/226ns
시험 조건 : 433V, 95A, 4.3 Ohm, 15V
역 회복 시간 (trr) : -
작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Through Hole
패키지 / 케이스 : TO-247-3
공급 업체 장치 패키지 : T-MAX™ [B2]