기술 :
MOSFET 4N-CH 500V 40A V2
FET 유형 :
4 N-Channel (H-Bridge)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
500V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
40A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
116 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
4V @ 8mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
270nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
-
작동 온도 :
-40°C ~ 150°C (TJ)