제조사 :
Microsemi Corporation
기술 :
POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
IGBT 유형 :
Trench Field Stop
구성 :
Full Bridge Inverter
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) :
600V
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic :
1.9V @ 15V, 50A
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce :
3.15nF @ 25V
입력 :
Single Phase Bridge Rectifier
작동 온도 :
-40°C ~ 175°C (TJ)