제조사 :
Microsemi Corporation
기술 :
MOSFET 4N-CH 600V 49A SP1
FET 유형 :
4 N-Channel (H-Bridge)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
600V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
49A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
45 mOhm @ 24.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
3.9V @ 3mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
150nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
7200pF @ 25V
작동 온도 :
-40°C ~ 150°C (TJ)