제조사 :
Toshiba Semiconductor and Storage
기술 :
RF TRANS NPN 5.3V 12.5GHZ SMINI
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) :
5.3V
잡음 지수 (dB Typ @ f) :
1.45dB @ 1GHz
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce :
200 @ 30mA, 5V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) :
100mA
패키지 / 케이스 :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3