제조사 :
GeneSiC Semiconductor
기술 :
DIODE GEN PURP 200V 150A TO244
다이오드 구성 :
1 Pair Common Anode
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) :
200V
전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당) :
150A
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If :
1V @ 150A
속도 :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
전류 - 역방향 누설량 (Vr) :
25µA @ 200V
작동 온도 - 정션 :
-55°C ~ 150°C