기술 :
GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE
FET 유형 :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET 특징 :
GaNFET (Gallium Nitride)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
100V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
1.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
70 mOhm @ 2A, 5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.5V @ 600µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
0.73nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
75pF @ 50V
작동 온도 :
-40°C ~ 150°C (TJ)