제조사 :
Taiwan Semiconductor Corporation
기술 :
MOSFET N-CHANNEL 20V 5.8A SOT23
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
5.8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
800mV @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
7.7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
535pF @ 10V
패키지 / 케이스 :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3