Microsemi Corporation - APT30M85BVRG

KEY Part #: K6396160

APT30M85BVRG 가격 (USD) [9440PC 주식]

1 pcs$4.82654
48 pcs$4.80253

부품 번호:: APT30M85BVRG

제조사:: Microsemi Corporation

상세 설명:: MOSFET N-CH 300V 40A TO-247.

제조업체의 표준 리드 타임:: 재고

수명:: 일년

칩 출처:: 홍콩

RoHS:

결제 방법:

배송 방법:

가족 카테고리:: KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 전원 드라이버 모듈, 사이리스터 - SCR - 모듈, 사이리스터 - SCR, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 사이리스터 - 트라이 액, 다이오드 - 정류기 - 어레이 and 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터) ...

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GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

APT30M85BVRG 제품 속성

부품 번호 : APT30M85BVRG

제조사 : Microsemi Corporation

기술 : MOSFET N-CH 300V 40A TO-247

시리즈 : POWER MOS V®

부품 상태 : Active

FET 유형 : N-Channel

과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)

드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 300V

전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 40A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs : 85 mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ ID : 4V @ 1mA

게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 195nC @ 10V

Vgs (최대) : ±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 4950pF @ 25V

FET 특징 : -

전력 발산 (최대) : 300W (Tc)

작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)

실장 형 : Through Hole

공급 업체 장치 패키지 : TO-247 [B]

패키지 / 케이스 : TO-247-3

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