GeneSiC Semiconductor - GA05JT12-247

KEY Part #: K6412607

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부품 번호 : GA05JT12-247

제조사 : GeneSiC Semiconductor

기술 : TRANS SJT 1200V 5A

시리즈 : -

부품 상태 : Obsolete

FET 유형 : -

과학 기술 : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 1200V

전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : -

Rds On (최대) @ Id, Vgs : 280 mOhm @ 5A

Vgs (th) (최대) @ ID : -

게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : -

Vgs (최대) : -

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : -

FET 특징 : -

전력 발산 (최대) : 106W (Tc)

작동 온도 : 175°C (TJ)

실장 형 : Through Hole

공급 업체 장치 패키지 : TO-247AB

패키지 / 케이스 : TO-247-3

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