제조사 :
Toshiba Semiconductor and Storage
기술 :
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
650V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
57A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
40 mOhm @ 28.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
4V @ 2.85mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
105nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
6250pF @ 300V