IXFT12N100F 가격 (USD) [7792PC 주식]
- 1 pcs$6.45185
- 10 pcs$5.86572
- 100 pcs$4.98586
- 500 pcs$4.25265
- 부품 번호:
- IXFT12N100F
- 제조사:
- IXYS-RF
- 상세 설명:
- MOSFET N-CH 1000V 12A TO268.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 사이리스터 - 트라이 액, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 다이오드 - 정류기 - 단일, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이 and 사이리스터 - DIAC, SIDAC ...
- 경쟁 우위:
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IXFT12N100F 제품 속성
부품 번호 :
IXFT12N100F
제조사 :
IXYS-RF
기술 :
MOSFET N-CH 1000V 12A TO268
시리즈 :
HiPerRF™
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
N-Channel
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
1000V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
12A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
1.05 Ohm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
5.5V @ 4mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
77nC @ 10V
Vgs (최대) :
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
2700pF @ 25V
FET 특징 :
-
전력 발산 (최대) :
300W (Tc)
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 :
TO-268 (IXFT)
패키지 / 케이스 :
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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- IRF7807ZPBF
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