제조사 :
Microsemi Corporation
기술 :
IGBT 1200V 110A 357W D1
부품 상태 :
Discontinued at Digi-Key
IGBT 유형 :
Trench Field Stop
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) :
1200V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) :
110A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 75A
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce :
5345nF @ 25V
작동 온도 :
-40°C ~ 150°C (TJ)