NGTD13R120F2WP 가격 (USD) [94150PC 주식]
- 1 pcs$0.41530
- 682 pcs$0.34717
- 부품 번호:
- NGTD13R120F2WP
- 제조사:
- ON Semiconductor
- 상세 설명:
- DIODE GEN PURP 1.2KV DIE.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - JFET, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 전원 드라이버 모듈, 사이리스터 - SCR - 모듈 and 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in ON Semiconductor NGTD13R120F2WP electronic components. NGTD13R120F2WP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NGTD13R120F2WP, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NGTD13R120F2WP 제품 속성
부품 번호 :
NGTD13R120F2WP
제조사 :
ON Semiconductor
기술 :
DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
시리즈 :
-
부품 상태 :
Active
다이오드 유형 :
Standard
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) :
1200V
전류 - 평균 정류 (Io) :
-
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If :
2.6V @ 25A
속도 :
-
역 회복 시간 (trr) :
-
전류 - 역방향 누설량 (Vr) :
1µA @ 1200V
커패시턴스 @ Vr, F :
-
실장 형 :
Surface Mount
패키지 / 케이스 :
Die
공급 업체 장치 패키지 :
Die
작동 온도 - 정션 :
175°C (Max)
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