[3476PC 주식]
- 부품 번호:
- PHU66NQ03LT,127
- 제조사:
- NXP USA Inc.
- 상세 설명:
- MOSFET N-CH 25V 66A SPT533.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 트랜지스터 - IGBT - 어레이, 전원 드라이버 모듈, 다이오드 - RF, 다이오드 - 정류기 - 어레이, 사이리스터 - SCR - 모듈, 다이오드 - 제너 - 싱글 and 사이리스터 - SCR ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in NXP USA Inc. PHU66NQ03LT,127 electronic components. PHU66NQ03LT,127 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PHU66NQ03LT,127, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PHU66NQ03LT,127 제품 속성
부품 번호 :
PHU66NQ03LT,127
제조사 :
NXP USA Inc.
기술 :
MOSFET N-CH 25V 66A SPT533
시리즈 :
TrenchMOS™
부품 상태 :
Obsolete
FET 유형 :
N-Channel
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
25V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
66A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
10.5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
12nC @ 5V
Vgs (최대) :
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
860pF @ 25V
FET 특징 :
-
전력 발산 (최대) :
93W (Tc)
작동 온도 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 :
Through Hole
공급 업체 장치 패키지 :
I-PAK
패키지 / 케이스 :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
최근 소식
당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
뜨거운 부품
- AO4407A_102
- SPP08N80C3XK
- IRFS7734PBF
- SUD50N06-07L-E3
- AO4310
- SPD50N03S207GBTMA1
- 2SK3816-DL-E
- IRF9321PBF
- IRLU8726PBF
- BSL802SNL6327HTSA1
- IRF7702TRPBF
- IRF6722MTR1PBF
- AO4474
- IRFR3504TRRPBF
- IPW60R045CPAFKSA1
- IXTA200N075T
- NTD3055-094G
- SPP80N06S2L-06
- IPP26CN10NGHKSA1
- BUZ32
- BUK9515-100A,127
- SPD07N60S5T
- ISL9N302AP3
- FQB3P20TM
- FDC3616N
- FDC697P_F077
- IRL3803SPBF
- IXFH35N30Q
- 64-0055PBF
- IRL3803STRR
- STS9P2UH7
- IPA60R125P6XKSA1
- IPP024N06N3GXKSA1
- IPP65R190C6XKSA1
- PSMN1R7-60BS,118
- FQP6N70
- IPS65R600E6AKMA1
- NVMFS5C645NLWFAFT3G
- BSO040N03MSGXUMA1
- BSO080P03NS3EGXUMA1