해당 지역이 목록에 없으면 다음 중 하나를 선택하십시오.:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

해당 지역이 목록에 없으면 다음 중 하나를 선택하십시오.:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. 집
  2. 제품
  3. 이산 반도체 제품
  4. 다이오드 - 브리지 정류기
  5. GBU406GTB

SMC Diode Solutions - GBU406GTB

KEY Part #: K6542481

GBU406GTB 가격 (USD) [115457PC 주식]

  • 1 pcs$0.28871
  • 10 pcs$0.25114
  • 25 pcs$0.22227
  • 100 pcs$0.19360
  • 250 pcs$0.16850
  • 500 pcs$0.14341
  • 1,000 pcs$0.11473
  • 2,500 pcs$0.10397
  • 5,000 pcs$0.09680
부품 번호:
GBU406GTB
제조사:
SMC Diode Solutions
상세 설명:
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBU.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 사이리스터 - 트라이 액, 다이오드 - 제너 - 어레이, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF and 사이리스터 - SCR - 모듈 ...
경쟁 우위:
We specialize in SMC Diode Solutions GBU406GTB electronic components. GBU406GTB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GBU406GTB, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GBU406GTB 제품 속성

부품 번호 : GBU406GTB
제조사 : SMC Diode Solutions
기술 : BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBU
시리즈 : -
부품 상태 : Active
다이오드 유형 : Single Phase
과학 기술 : Standard
전압 - 피크 역방향 (최대) : 600V
전류 - 평균 정류 (Io) : 4A
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If : 1.1V @ 4A
전류 - 역방향 누설량 (Vr) : 5µA @ 600V
작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Through Hole
패키지 / 케이스 : 4-ESIP
공급 업체 장치 패키지 : GBU
당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
  • RMB2S-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 3P 200V TO269AA. Bridge Rectifiers 200 Volt 0.5 Amp 30 Amp IFSM

  • RMB4S-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 3P 400V TO269AA. Bridge Rectifiers 400 Volt 0.5 Amp 30 Amp IFSM

  • B2S-E3/80

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 200V TO269AA. Bridge Rectifiers 0.5 Amp 200 Volt

  • B4S-E3/80

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 400V TO269AA. Bridge Rectifiers 0.5 Amp 400 Volt

  • MB4S-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 400V TO269AA. Bridge Rectifiers 400 Volt 0.5 Amp 35 Amp IFSM

  • RMB4S-E3/80

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 400V TO269AA. Bridge Rectifiers 400 Volt 0.5 Amp 30 Amp IFSM

뜨거운 부품