기술 :
GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE
부품 상태 :
Discontinued at Digi-Key
FET 유형 :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET 특징 :
GaNFET (Gallium Nitride)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
100V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
23A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
6.3 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.5V @ 5.5mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
7nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
800pF @ 50V
작동 온도 :
-40°C ~ 150°C (TJ)