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  5. BYV430J-600PQ

WeEn Semiconductors - BYV430J-600PQ

KEY Part #: K6475474

[6088PC 주식]

    부품 번호:
    BYV430J-600PQ
    제조사:
    WeEn Semiconductors
    상세 설명:
    DIODE ARRAY GP 600V 30A TO3P. Rectifiers BYV430J-600PQ/TO3PF/STANDARD M
    제조업체의 표준 리드 타임:
    재고
    수명:
    일년
    칩 출처:
    홍콩
    RoHS:
    결제 방법:
    배송 방법:
    가족 카테고리:
    KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - IGBT - 단일, 사이리스터 - SCR - 모듈, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이, 전원 드라이버 모듈, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 사이리스터 - 트라이 액 and 다이오드 - 제너 - 어레이 ...
    경쟁 우위:
    We specialize in WeEn Semiconductors BYV430J-600PQ electronic components. BYV430J-600PQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYV430J-600PQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BYV430J-600PQ 제품 속성

    부품 번호 : BYV430J-600PQ
    제조사 : WeEn Semiconductors
    기술 : DIODE ARRAY GP 600V 30A TO3P
    시리즈 : -
    부품 상태 : Active
    다이오드 구성 : 1 Pair Common Cathode
    다이오드 유형 : Standard
    전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) : 600V
    전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당) : 30A
    전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If : 2V @ 30A
    속도 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    역 회복 시간 (trr) : 90ns
    전류 - 역방향 누설량 (Vr) : 10µA @ 600V
    작동 온도 - 정션 : 175°C (Max)
    실장 형 : Through Hole
    패키지 / 케이스 : TO-3P-3, SC-65-3
    공급 업체 장치 패키지 : TO-3P
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