DMG9N65CTI 가격 (USD) [51668PC 주식]
- 1 pcs$0.71495
- 50 pcs$0.57489
- 100 pcs$0.51740
- 500 pcs$0.40242
- 1,000 pcs$0.31541
- 부품 번호:
- DMG9N65CTI
- 제조사:
- Diodes Incorporated
- 상세 설명:
- MOSFET N CH 650V 9A ITO-220AB.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 사이리스터 - 트라이 액, 트랜지스터 - JFET, 다이오드 - 제너 - 싱글, 다이오드 - 정류기 - 단일, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 전원 드라이버 모듈 and 트랜지스터 - IGBT - 어레이 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Diodes Incorporated DMG9N65CTI electronic components. DMG9N65CTI can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMG9N65CTI, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMG9N65CTI 제품 속성
부품 번호 :
DMG9N65CTI
제조사 :
Diodes Incorporated
기술 :
MOSFET N CH 650V 9A ITO-220AB
시리즈 :
-
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
N-Channel
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
650V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
9A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
1.3 Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
39nC @ 10V
Vgs (최대) :
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
2310pF @ 25V
FET 특징 :
-
전력 발산 (최대) :
13W (Tc)
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Through Hole
공급 업체 장치 패키지 :
ITO-220AB
패키지 / 케이스 :
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
최근 소식
당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
뜨거운 부품
- BUK958R5-40E,127
- 2SK3902(0)-ZK-E1-AY
- FDB9506L-F085
- SPB02N60S5ATMA1
- JAN2N6782U
- IPA65R600C6XKSA1
- SIR406DP-T1-GE3
- IPD50N06S4L08ATMA1
- SSM3K106TU(TE85L)
- IRL3402STRLPBF
- APTM120DA68T1G
- AOT462
- NTMFS4837NT3G
- 2SK2917(F)
- IXFH28N50Q
- APT10035B2LLG
- FQI9N15TU
- HUFA75307D3S
- IRLR2703PBF
- IRFR3711ZPBF
- IPP05N03LA
- IRFZ24NSTRR
- STP80NE03L-06
- IRF9540NSTRR
- IRF7207TR
- IRF614STRR
- STB155N3H6
- STP6NB90
- IXTH75N15
- IXTH160N15T
- SIHP22N60E-GE3
- IPT012N06NATMA1
- IPB120N06S4H1ATMA2
- SQD50P04-09L_GE3
- FDMS9408-F085
- IPD60R600P6ATMA1
- PSMN1R2-25YLDX
- IRLR8103VTRPBF
- TPN14006NH,L1Q
- BUK9Y43-60E,115