제조사 :
Renesas Electronics America Inc.
기술 :
IC DRIVER HI SIDE 3PHASE 16DIP
게이트 유형 :
N-Channel MOSFET
논리 전압 - VIL, VIH :
1V, 2.5V
하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩) :
95V
상승 / 하강 시간 (일반) :
35ns, 30ns
작동 온도 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스 :
16-DIP (0.300", 7.62mm)