ON Semiconductor - HGTD3N60C3S9A

KEY Part #: K6424371

[9332PC 주식]


    부품 번호:
    HGTD3N60C3S9A
    제조사:
    ON Semiconductor
    상세 설명:
    IGBT 600V 6A 33W TO252AA.
    제조업체의 표준 리드 타임:
    재고
    수명:
    일년
    칩 출처:
    홍콩
    RoHS:
    결제 방법:
    배송 방법:
    가족 카테고리:
    KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 전원 드라이버 모듈, 다이오드 - 제너 - 어레이, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 다이오드 - 정류기 - 단일, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 다이오드 - 정류기 - 어레이 and 다이오드 - 제너 - 싱글 ...
    경쟁 우위:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    HGTD3N60C3S9A 제품 속성

    부품 번호 : HGTD3N60C3S9A
    제조사 : ON Semiconductor
    기술 : IGBT 600V 6A 33W TO252AA
    시리즈 : -
    부품 상태 : Obsolete
    IGBT 유형 : -
    전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) : 600V
    전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) : 6A
    전류 - 콜렉터 펄스 (Icm) : 24A
    VCE (on) (최대) @ Vge, Ic : 2V @ 15V, 3A
    전력 - 최대 : 33W
    스위칭 에너지 : 85µJ (on), 245µJ (off)
    입력 유형 : Standard
    게이트 차지 : 10.8nC
    Td (온 / 오프) @ 25 ° C : -
    시험 조건 : 480V, 3A, 82 Ohm, 15V
    역 회복 시간 (trr) : -
    작동 온도 : -40°C ~ 150°C (TJ)
    실장 형 : Surface Mount
    패키지 / 케이스 : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    공급 업체 장치 패키지 : TO-252AA