FQD10N20LTM 가격 (USD) [226092PC 주식]
- 1 pcs$0.18272
- 2,500 pcs$0.18181
- 부품 번호:
- FQD10N20LTM
- 제조사:
- ON Semiconductor
- 상세 설명:
- MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - 제너 - 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 트랜지스터 - 특수용, 사이리스터 - SCR - 모듈, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction and 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in ON Semiconductor FQD10N20LTM electronic components. FQD10N20LTM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQD10N20LTM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FQD10N20LTM 제품 속성
부품 번호 :
FQD10N20LTM
제조사 :
ON Semiconductor
기술 :
MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
시리즈 :
QFET®
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
N-Channel
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
200V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
7.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
360 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
17nC @ 5V
Vgs (최대) :
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
830pF @ 25V
FET 특징 :
-
전력 발산 (최대) :
2.5W (Ta), 51W (Tc)
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 :
TO-252, (D-Pak)
패키지 / 케이스 :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
최근 소식
당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
뜨거운 부품
- FDS5672_F095
- AON6428_103
- SCH1439-TL-W
- N0439N-S19-AY
- IXFR10N100Q
- DMP3025LK3-13-01
- UPA2821T1L-E1-AT
- RJK4002DPP-M0#T2
- BMS4003
- TK16A55D(STA4,Q,M)
- 2SK3704
- IPB096N03LGATMA1
- SIA419DJ-T1-GE3
- NTR4503NT1
- NTD24N06L-001
- IRF6629TRPBF
- IRF7453TRPBF
- IRFP064VPBF
- IRFZ46ZPBF
- SPP06N60C3XKSA1
- NTD4302T4
- 2SK221100L
- IRF6648TR1
- IRF7807ZPBF
- IRL530STRL
- IRFBF20STRR
- IRFR9120NTRR
- IRL520
- PMN23UN,165
- PSMN085-150K,518
- STD8NM60N-1
- STP10NK50Z
- IPP65R190CFDAAKSA1
- SQP120P06-6M7L_GE3
- IXTA1N80
- AUIRFR2905Z
- IPA65R310CFDXKSA2
- BSC159N10LSFGATMA1
- STD37P3H6AG
- IRFH8330TRPBF