제조사 :
GeneSiC Semiconductor
기술 :
DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
다이오드 유형 :
Silicon Carbide Schottky
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) :
1200V
전류 - 평균 정류 (Io) :
8A (DC)
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If :
1.6V @ 2.5A
속도 :
No Recovery Time > 500mA (Io)
전류 - 역방향 누설량 (Vr) :
10µA @ 1200V
커패시턴스 @ Vr, F :
237pF @ 1V, 1MHz
작동 온도 - 정션 :
-55°C ~ 250°C