1N3070TR 가격 (USD) [3361661PC 주식]
- 1 pcs$0.01100
- 10,000 pcs$0.01073
- 30,000 pcs$0.01010
- 50,000 pcs$0.00947
- 100,000 pcs$0.00842
- 부품 번호:
- 1N3070TR
- 제조사:
- ON Semiconductor
- 상세 설명:
- DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Conductance Fast
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - IGBT - 단일, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 트랜지스터 - 특수용, 트랜지스터 - IGBT - 어레이, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction and 다이오드 - 제너 - 싱글 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in ON Semiconductor 1N3070TR electronic components. 1N3070TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N3070TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N3070TR 제품 속성
부품 번호 :
1N3070TR
제조사 :
ON Semiconductor
기술 :
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35
시리즈 :
-
부품 상태 :
Active
다이오드 유형 :
Standard
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) :
200V
전류 - 평균 정류 (Io) :
500mA
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If :
1V @ 100mA
속도 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 회복 시간 (trr) :
50ns
전류 - 역방향 누설량 (Vr) :
100nA @ 175V
커패시턴스 @ Vr, F :
5pF @ 0V, 1MHz
실장 형 :
Through Hole
패키지 / 케이스 :
DO-204AH, DO-35, Axial
공급 업체 장치 패키지 :
DO-35
작동 온도 - 정션 :
175°C (Max)
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