기술 :
MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON
FET 유형 :
2 N-Channel (Dual)
FET 특징 :
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
32A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
7.6 mOhm @ 20A, 8V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.1V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
7.7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
1255pF @ 15V
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
공급 업체 장치 패키지 :
8-LSON (5x6)