기술 :
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666
트랜지스터 유형 :
1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) :
100mA, 500mA
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) :
50V, 40V
저항기 -베이스 (R1) :
2.2 kOhms
저항기 - 이미 터베이스 (R2) :
2.2 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce :
30 @ 20mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic :
150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA
패키지 / 케이스 :
SOT-563, SOT-666