Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-8ETH06-1HM3

KEY Part #: K6436290

VS-8ETH06-1HM3 가격 (USD) [152066PC 주식]

  • 1 pcs$0.24323

부품 번호:
VS-8ETH06-1HM3
제조사:
Vishay Semiconductor Diodes Division
상세 설명:
DIODE GEN PURP 600V 8A TO262.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - 브리지 정류기, 사이리스터 - 트라이 액, 트랜지스터 - 특수용, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 사이리스터 - SCR, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single and 사이리스터 - SCR - 모듈 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-8ETH06-1HM3 제품 속성

부품 번호 : VS-8ETH06-1HM3
제조사 : Vishay Semiconductor Diodes Division
기술 : DIODE GEN PURP 600V 8A TO262
시리즈 : Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®
부품 상태 : Active
다이오드 유형 : Standard
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) : 600V
전류 - 평균 정류 (Io) : 8A
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If : 2.4V @ 8A
속도 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 회복 시간 (trr) : 25ns
전류 - 역방향 누설량 (Vr) : 50µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F : -
실장 형 : Through Hole
패키지 / 케이스 : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
공급 업체 장치 패키지 : TO-262
작동 온도 - 정션 : -55°C ~ 175°C

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