Toshiba Memory America, Inc. - TH58NYG3S0HBAI4

KEY Part #: K929459

TH58NYG3S0HBAI4 가격 (USD) [10841PC 주식]

  • 1 pcs$4.22631

부품 번호:
TH58NYG3S0HBAI4
제조사:
Toshiba Memory America, Inc.
상세 설명:
8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V. NAND Flash 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. PMIC - 배전 스위치, 부하 드라이버, 메모리 - 배터리, PMIC - 감독관, 논리 - 특수 논리, PMIC - 전압 조정기 - 선형, PMIC - 기준 전압, PMIC - 전압 조정기 - 선형 + 스위칭 and PMIC - LED 드라이버 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TH58NYG3S0HBAI4 제품 속성

부품 번호 : TH58NYG3S0HBAI4
제조사 : Toshiba Memory America, Inc.
기술 : 8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V
시리즈 : -
부품 상태 : Active
메모리 유형 : Non-Volatile
메모리 형식 : FLASH
과학 기술 : FLASH - NAND (SLC)
메모리 크기 : 8Gb (1G x 8)
클럭 주파수 : -
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 : 25ns
액세스 시간 : 25ns
메모리 인터페이스 : Parallel
전압 - 공급 : 1.7V ~ 1.95V
작동 온도 : -40°C ~ 85°C (TA)
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : 63-VFBGA
공급 업체 장치 패키지 : 63-TFBGA (9x11)

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