[2893PC 주식]
- 부품 번호:
- SI5499DC-T1-GE3
- 제조사:
- Vishay Siliconix
- 상세 설명:
- MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 다이오드 - 제너 - 싱글, 다이오드 - 브리지 정류기, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 사이리스터 - SCR, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이 and 사이리스터 - 트라이 액 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Vishay Siliconix SI5499DC-T1-GE3 electronic components. SI5499DC-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI5499DC-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI5499DC-T1-GE3 제품 속성
부품 번호 :
SI5499DC-T1-GE3
제조사 :
Vishay Siliconix
기술 :
MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8
시리즈 :
TrenchFET®
부품 상태 :
Obsolete
FET 유형 :
P-Channel
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
8V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
36 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
800mV @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
35nC @ 8V
Vgs (최대) :
±5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
1290pF @ 4V
FET 특징 :
-
전력 발산 (최대) :
2.5W (Ta), 6.2W (Tc)
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 :
1206-8 ChipFET™
패키지 / 케이스 :
8-SMD, Flat Lead
최근 소식
당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
뜨거운 부품
- FDS5672_F095
- AON6428_103
- SCH1439-TL-W
- N0439N-S19-AY
- IXFR10N100Q
- DMP3025LK3-13-01
- UPA2821T1L-E1-AT
- RJK4002DPP-M0#T2
- BMS4003
- TK16A55D(STA4,Q,M)
- 2SK3704
- IPB096N03LGATMA1
- SIA419DJ-T1-GE3
- NTR4503NT1
- NTD24N06L-001
- IRF6629TRPBF
- IRF7453TRPBF
- IRFP064VPBF
- IRFZ46ZPBF
- SPP06N60C3XKSA1
- NTD4302T4
- 2SK221100L
- IRF6648TR1
- IRF7807ZPBF
- IRL530STRL
- IRFBF20STRR
- IRFR9120NTRR
- IRL520
- PMN23UN,165
- PSMN085-150K,518
- STD8NM60N-1
- STP10NK50Z
- IPP65R190CFDAAKSA1
- SQP120P06-6M7L_GE3
- IXTA1N80
- AUIRFR2905Z
- IPA65R310CFDXKSA2
- BSC159N10LSFGATMA1
- STD37P3H6AG
- IRFH8330TRPBF