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ON Semiconductor - FQD8P10TM_F080

KEY Part #: K6407602

[917PC 주식]

    부품 번호:
    FQD8P10TM_F080
    제조사:
    ON Semiconductor
    상세 설명:
    MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK.
    제조업체의 표준 리드 타임:
    재고
    수명:
    일년
    칩 출처:
    홍콩
    RoHS:
    결제 방법:
    배송 방법:
    가족 카테고리:
    KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 다이오드 - 제너 - 어레이, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 트랜지스터 - JFET, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 사이리스터 - 트라이 액, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction and 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF ...
    경쟁 우위:
    We specialize in ON Semiconductor FQD8P10TM_F080 electronic components. FQD8P10TM_F080 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQD8P10TM_F080, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FQD8P10TM_F080 제품 속성

    부품 번호 : FQD8P10TM_F080
    제조사 : ON Semiconductor
    기술 : MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
    시리즈 : QFET®
    부품 상태 : Obsolete
    FET 유형 : P-Channel
    과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
    드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 100V
    전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 6.6A (Tc)
    드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 10V
    Rds On (최대) @ Id, Vgs : 530 mOhm @ 3.3A, 10V
    Vgs (th) (최대) @ ID : 4V @ 250µA
    게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 15nC @ 10V
    Vgs (최대) : ±30V
    입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 470pF @ 25V
    FET 특징 : -
    전력 발산 (최대) : 2.5W (Ta), 44W (Tc)
    작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    실장 형 : Surface Mount
    공급 업체 장치 패키지 : D-Pak
    패키지 / 케이스 : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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