RFN30TS6SGC11 가격 (USD) [25621PC 주식]
- 1 pcs$1.76721
- 10 pcs$1.57859
- 25 pcs$1.42082
- 100 pcs$1.29460
- 250 pcs$1.10838
- 500 pcs$0.99455
- 1,000 pcs$0.83878
- 2,500 pcs$0.79684
- 부품 번호:
- RFN30TS6SGC11
- 제조사:
- Rohm Semiconductor
- 상세 설명:
- DIODE GEN PURP 600V 30A TO247. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600V Vrm 30A Io Recovery Diode
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 전원 드라이버 모듈, 사이리스터 - SCR - 모듈, 사이리스터 - SCR, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF and 트랜지스터 - 특수용 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Rohm Semiconductor RFN30TS6SGC11 electronic components. RFN30TS6SGC11 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RFN30TS6SGC11, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RFN30TS6SGC11 제품 속성
부품 번호 :
RFN30TS6SGC11
제조사 :
Rohm Semiconductor
기술 :
DIODE GEN PURP 600V 30A TO247
시리즈 :
-
부품 상태 :
Active
다이오드 유형 :
Standard
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) :
600V
전류 - 평균 정류 (Io) :
30A
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If :
1.55V @ 30A
속도 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 회복 시간 (trr) :
60ns
전류 - 역방향 누설량 (Vr) :
10µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F :
-
실장 형 :
Through Hole
패키지 / 케이스 :
TO-247-3
공급 업체 장치 패키지 :
TO-247
작동 온도 - 정션 :
150°C (Max)
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