Diodes Incorporated - DMN2015UFDF-13

KEY Part #: K6396019

DMN2015UFDF-13 가격 (USD) [591719PC 주식]

  • 1 pcs$0.06251

부품 번호:
DMN2015UFDF-13
제조사:
Diodes Incorporated
상세 설명:
MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 다이오드 - 정류기 - 단일, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 다이오드 - 제너 - 어레이, 트랜지스터 - JFET, 다이오드 - 브리지 정류기, 다이오드 - RF and 전원 드라이버 모듈 ...
경쟁 우위:
We specialize in Diodes Incorporated DMN2015UFDF-13 electronic components. DMN2015UFDF-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN2015UFDF-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN2015UFDF-13 제품 속성

부품 번호 : DMN2015UFDF-13
제조사 : Diodes Incorporated
기술 : MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6
시리즈 : -
부품 상태 : Active
FET 유형 : N-Channel
과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 15.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 9 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID : 1.2V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 42.3nC @ 10V
Vgs (최대) : ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 1439pF @ 10V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 1.8W (Ta)
작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 : U-DFN2020-6
패키지 / 케이스 : 6-UDFN Exposed Pad

당신은 또한 관심이있을 수 있습니다