기술 :
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 8A TO252-2
다이오드 유형 :
Silicon Carbide Schottky
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) :
1200V
전류 - 평균 정류 (Io) :
24.5A (DC)
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If :
3V @ 2A
속도 :
No Recovery Time > 500mA (Io)
전류 - 역방향 누설량 (Vr) :
250µA @ 1200V
커패시턴스 @ Vr, F :
560pF @ 0V, 1MHz
패키지 / 케이스 :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
작동 온도 - 정션 :
-55°C ~ 175°C