제조사 :
GeneSiC Semiconductor
기술 :
DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL
다이오드 유형 :
Silicon Carbide Schottky
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) :
8000V
전류 - 평균 정류 (Io) :
50mA (DC)
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If :
4.6V @ 50mA
속도 :
No Recovery Time > 500mA (Io)
전류 - 역방향 누설량 (Vr) :
3.8µA @ 8000V
커패시턴스 @ Vr, F :
25pF @ 1V, 1MHz
작동 온도 - 정션 :
-55°C ~ 175°C