APT50GT60BRDQ2G 가격 (USD) [10425PC 주식]
- 1 pcs$3.95308
- 10 pcs$3.55777
- 25 pcs$3.24144
- 100 pcs$2.92515
- 250 pcs$2.68799
- 500 pcs$2.45080
- 1,000 pcs$2.13457
- 부품 번호:
- APT50GT60BRDQ2G
- 상세 설명:
- IGBT 600V 110A 446W TO247.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 전원 드라이버 모듈, 다이오드 - 정류기 - 어레이, 트랜지스터 - JFET, 사이리스터 - 트라이 액, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이, 다이오드 - 제너 - 어레이 and 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Microsemi Corporation APT50GT60BRDQ2G electronic components. APT50GT60BRDQ2G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT50GT60BRDQ2G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
APT50GT60BRDQ2G 제품 속성
부품 번호 :
APT50GT60BRDQ2G
제조사 :
Microsemi Corporation
기술 :
IGBT 600V 110A 446W TO247
시리즈 :
Thunderbolt IGBT®
부품 상태 :
Active
IGBT 유형 :
NPT
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) :
600V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) :
110A
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm) :
150A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic :
2.5V @ 15V, 50A
전력 - 최대 :
446W
스위칭 에너지 :
995µJ (on), 1070µJ (off)
입력 유형 :
Standard
게이트 차지 :
240nC
Td (온 / 오프) @ 25 ° C :
14ns/240ns
시험 조건 :
400V, 50A, 5 Ohm, 15V
역 회복 시간 (trr) :
22ns
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Through Hole
패키지 / 케이스 :
TO-247-3
공급 업체 장치 패키지 :
TO-247 [B]
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