기술 :
MOSFET N-CH 900V 3.5A
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
900V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
3.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
3.6 Ohm @ 2.5A, 10V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
33nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
650pF @ 30V
전력 발산 (최대) :
2W (Ta), 35W (Tc)
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
공급 업체 장치 패키지 :
TO-220F-3FS
패키지 / 케이스 :
TO-220-3 Full Pack