GA50JT12-247 가격 (USD) [896PC 주식]
- 1 pcs$56.45706
- 10 pcs$52.92992
- 25 pcs$50.45983
- 부품 번호:
- GA50JT12-247
- 상세 설명:
- TRANS SJT 1.2KV 50A.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 사이리스터 - SCR - 모듈, 사이리스터 - SCR, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 다이오드 - RF, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일 and 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in GeneSiC Semiconductor GA50JT12-247 electronic components. GA50JT12-247 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GA50JT12-247, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
GA50JT12-247 제품 속성
부품 번호 :
GA50JT12-247
제조사 :
GeneSiC Semiconductor
기술 :
TRANS SJT 1.2KV 50A
시리즈 :
-
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
-
과학 기술 :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
1200V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
-
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 50A
Vgs (th) (최대) @ ID :
-
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
-
Vgs (최대) :
-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
7209pF @ 800V
FET 특징 :
-
전력 발산 (최대) :
583W (Tc)
작동 온도 :
175°C (TJ)
실장 형 :
Through Hole
공급 업체 장치 패키지 :
TO-247AB
패키지 / 케이스 :
TO-247-3
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