EPC - EPC2106ENGRT

KEY Part #: K6523313

EPC2106ENGRT 가격 (USD) [119287PC 주식]

1 pcs$0.33054
2,500 pcs$0.32890

부품 번호:: EPC2106ENGRT

제조사:: EPC

상세 설명:: GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE.

제조업체의 표준 리드 타임:: 재고

수명:: 일년

칩 출처:: 홍콩

RoHS:

결제 방법:

배송 방법:

가족 카테고리:: KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - 브리지 정류기, 사이리스터 - SCR - 모듈, 트랜지스터 - JFET, 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 트랜지스터 - IGBT - 단일 and 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스 ...

경쟁 우위:: We specialize in EPC EPC2106ENGRT electronic components. EPC2106ENGRT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2106ENGRT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

EPC2106ENGRT 제품 속성

부품 번호 : EPC2106ENGRT

제조사 : EPC

기술 : GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE

시리즈 : eGaN®

부품 상태 : Active

FET 유형 : 2 N-Channel (Half Bridge)

FET 특징 : GaNFET (Gallium Nitride)

드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 100V

전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 1.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 2A, 5V

Vgs (th) (최대) @ ID : 2.5V @ 600µA

게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 0.73nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 75pF @ 50V

전력 - 최대 : -

작동 온도 : -40°C ~ 150°C (TJ)

실장 형 : Surface Mount

패키지 / 케이스 : Die

공급 업체 장치 패키지 : Die

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