Vishay Semiconductor Diodes Division - BZX84C12-HE3-08

KEY Part #: K6519050

BZX84C12-HE3-08 가격 (USD) [1975109PC 주식]

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  • 15,000 pcs$0.01204

부품 번호:
BZX84C12-HE3-08
제조사:
Vishay Semiconductor Diodes Division
상세 설명:
DIODE ZENER 12V 300MW SOT23-3. Zener Diodes 12 Volt 0.35W 5%
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 다이오드 - RF, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 다이오드 - 제너 - 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 사이리스터 - 트라이 액 and 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BZX84C12-HE3-08 제품 속성

부품 번호 : BZX84C12-HE3-08
제조사 : Vishay Semiconductor Diodes Division
기술 : DIODE ZENER 12V 300MW SOT23-3
시리즈 : Automotive, AEC-Q101
부품 상태 : Active
전압 - 제너 (Nom) (Vz) : 12V
공차 : ±5%
전력 - 최대 : 300mW
임피던스 (최대) (Zzt) : 25 Ohms
전류 - 역방향 누설량 (Vr) : 100nA @ 8V
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If : -
작동 온도 : -55°C ~ 150°C
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 업체 장치 패키지 : SOT-23-3

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