Infineon Technologies - IPL65R070C7AUMA1

KEY Part #: K6416839

IPL65R070C7AUMA1 가격 (USD) [21014PC 주식]

  • 1 pcs$2.05757
  • 3,000 pcs$2.04733

부품 번호:
IPL65R070C7AUMA1
제조사:
Infineon Technologies
상세 설명:
MOSFET N-CH 4VSON.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 전원 드라이버 모듈, 사이리스터 - 트라이 액, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 트랜지스터 - 특수용, 다이오드 - 정류기 - 어레이, 다이오드 - 정류기 - 단일 and 다이오드 - 브리지 정류기 ...
경쟁 우위:
We specialize in Infineon Technologies IPL65R070C7AUMA1 electronic components. IPL65R070C7AUMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPL65R070C7AUMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPL65R070C7AUMA1 제품 속성

부품 번호 : IPL65R070C7AUMA1
제조사 : Infineon Technologies
기술 : MOSFET N-CH 4VSON
시리즈 : CoolMOS™ C7
부품 상태 : Active
FET 유형 : N-Channel
과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 650V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 28A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID : 4V @ 850µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 64nC @ 10V
Vgs (최대) : ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 3020pF @ 100V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 169W (Tc)
작동 온도 : -40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 : PG-VSON-4
패키지 / 케이스 : 4-PowerTSFN

당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
  • 2N7000BU

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92.

  • ZVN4424A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 260MA TO92-3.

  • 2N7000-D26Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

  • IRLR7833

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 140A DPAK.

  • IRLR3410TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 17A DPAK.

  • IRFR5410TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 100V 13A DPAK.